| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IPB136N08N3G |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | Infineon Technologies | 2168 | 询价QQ： |
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IPB136N08N3G参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3 包装数量：1000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载： FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：80V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：45A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.6 毫欧 @ 45A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 33µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1730pF @ 40V 功率 - 最大值：79W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 芯片电阻 - 表面RCL12185R62FKEK 接线板 - 接口模8155650000 矩形 - 配件967631-1 PMIC - 监控BU4918G-TR D-Sub，D 形8655MH3701BLF 端子 - 环形50845-2 功率，高于 2 安JS1AF-5V-F 端子 - 电磁线1217339-1 PMIC - 监控BU4915G-TR PMIC - LETCA6507PWR |
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